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參數(shù)資料
| 型號： | T431616D |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 52/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 781K |
| 代理商： | T431616D |
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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 52
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 15.2. Interleaved Column Write Cycle
(Burst Length=4, CAS# Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
A10
A0~A9
DQM
DQ
A11
t
CK2
Activate
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
DBw0 DBw1 DBx0
DAx3
DBx1
DBy1 DAy0
Hi-Z
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
RAx
RAx
DAx0DAx1 DAx2
DBy0
DAy1 DBz0
Activate
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank B
t
RCD
CAx
RBw
RBw
CBw
CBx
CBy
CAy
DBz1 DBz2 DBz3
Write
Command
Bank B
t
RRD
t
RP
t
WR
t
RP
CBz
WE#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616D-5C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5CG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-5C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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