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參數(shù)資料
| 型號： | T431616D-7S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 31/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 781K |
| 代理商： | T431616D-7S |
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TE
CH
tm
Figure 7.3. Clock Suspension During Burst Write (Using CKE)
(Burst Length=4, CAS# Latency=3)
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 31
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A11
A10
A0-A9
DQM
DQ
DAx0
DAx1
DAx2
DAx3
t
CK3
RAx
RAx
CAx
Hi-Z
Activate
Bank A
Write
Command
Bank A
Cl2 Cycles
Cl3 Cycles
Clo1 Cycle
Note:
CKE to CLK disable/enable = 1 clock
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616D-7SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E-7C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E-7CG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E-7S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E-7C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E-7CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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