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參數(shù)資料
| 型號： | T431616D-6CG |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 24/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 781K |
| 代理商： | T431616D-6CG |
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TE
CH
tm
Figure 4. Power on Sequene and Auto Refresh (CBR)
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 24
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A11
A10
A0-A9
DQM
DQ
t
CK2
High level
is reauired
Minimum of 2 Refresh Cycles are required
Hi-Z
t
RP
t
RC
Address Key
Inputs must be
stable for 200
μ
s
PrechargeALL
Command
1st AutoRefresh
Command
2ndCommand
Mode Register
CoAny
Note (*) : The Auto Refresh command can be issued before or after Mode Register Set command
(*)
(*)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616D-6S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7CG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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