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參數(shù)資料
| 型號： | T431616A-7SI |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/31頁 |
| 文件大小： | 1614K |
| 代理商： | T431616A-7SI |
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TE
CH
tm
Active/ Precharge Power Down Mode @ CAS latency = 2, Butsr length = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
SS
T431616A
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P.27
to change products or specifications without notice.
Publication Date: DEC. 2000
Revision: C
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
A10/AP
DQ
W E
DQM
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
:Don't care
Precharge
Power-
Down Entry
Precharge
Power-
Down Exit
Row Active
Active
Power-
Down Entry
Active
Power-
Down Exit
Read
Precharge
Qa0
Qa1
Qa2
Ra
Ca
Ra
t
SHZ
SS
tss
tss
tss
*Note1
*Note3
*Note2
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
*Note : 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK+
t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification.(32ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616B | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-10C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-10S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-20C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-20S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616B | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-10C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-10S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-20C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-20S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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