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參數資料
| 型號： | T4312816A-7.5S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 8M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 8米× 16內存 |
| 文件頁數： | 18/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 711K |
| 代理商： | T4312816A-7.5S |
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TE
CH
tm
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
Preliminary T4312816A
TM Technology Inc. reserves the right
P.18
to change products or specifications without notice.
Publication Date: APR. 2003
Revision: 0.B
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
B A
A 10 /A P
C L = 2
C L = 3
W E
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H IG H
D Q M
D Q
:D o n't care
* N o te1
* N o te2
R A a
C A a
R B b
C B b
C A c
C B d
C A e
R A a
R B b
Q A a0
Q A a1
Q A a2
Q A a3
Q A a0
Q A a1
Q A a2
Q A a3
Q B b 0
Q B b 0
Q B b 1
Q B b 2
Q B b 3
Q B b 1
Q B b 2
Q B b 3
Q A c0
Q A c1
Q A c0
Q A c1
Q B d 0
Q B d 0
Q B d 1
Q B d 1
Q A e0
Q A e0
Q A e1
Q A e1
R o w A c tiv e
(A -B a n k )
R ead (A -
B an k )
R o w A c tiv e
(B -B an k )
R ead (B -
B an k )
R ead (A -
B an k )
R ead (B -
B an k )
R ead (A -
B an k )
P rech arg e
(A -B a n k )
*Note : 1.
CS
can be don’t cared when RAS,
CAS
and WE are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst resd by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T4312816A-7S | 8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-8S | 8M x 16 SDRAM |
| T4312816B | 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-6S | 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-6SG | 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| T4312816A-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM |
| T4312816A-8S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM |
| T4312816B | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T4312816B-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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