參數(shù)資料
型號(hào)： T4312816A-10S
廠商： TM Technology, Inc.
英文描述： 8M x 16 SDRAM
中文描述： 8米× 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 24/29頁(yè)
文件大?。?/td> 711K
代理商： T4312816A-10S
TE
CH
tm
Write Interrupted by Prechareg Command & Write Burst Stop Cycle @ Burst Length=Full Page
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Preliminary T4312816A
TM Technology Inc. reserves the right
P.24
to change products or specifications without notice.
Publication Date: APR. 2003
Revision: 0.B
C LO C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
B A
A 10/A P
D Q
W E
D Q M
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
H IG H
:D on't care
R ow A ctive
(A -B ank)
W rite (A -
B ank)
B urst Stop
W rite (A -
B ank)
Precharge
(A -B ank)
R A a
C A a
C A b
R A a
D A a0
D A a1
D A a2
D A a3
D A a4
D A b0
D A b1
D A b2
D A b3
D A b4
D A b5
*N ote3
t
BD L
t
RD L
*Note : 1. Burst can’t end in full page mode, so auto precharge can’t issue.
2. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding memory cell.
It is defined by AC parameter of
t
RDL
.
DQM at write interrupted by precharge command is needed to prevent invalid write.
Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
3. Burst stop is valid at every burst length.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T4312816A-6S 8M x 16 SDRAM
T4312816A-7.5S 8M x 16 SDRAM
T4312816A-7S 8M x 16 SDRAM
T4312816A-8S 8M x 16 SDRAM
T4312816B 8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
T4312816A-6S 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM
T4312816A-7.5S 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM
T4312816A-7S 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM
T4312816A-8S 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM
T4312816B 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:8M x 16 SDRAM 2M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
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