參數(shù)資料
型號： T3A6CI
廠商： KEC Holdings
英文描述： RECTIFIER STANDARD SINGLE 3A 400V 400 100A-ifsm 10uA-ir 1.15V-vf PowerDI?5 5K/REEL
中文描述： 的雙向三極管可控硅晶閘管3A條模具
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： T3A6CI
2001. 1. 3
2/3
T3A6CI
Revision No : 0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Repetitive Peak Off-state Current
I
DRM
V
DRM
=Rated
-
-
20
A
Gate Trigger Voltage
V
GT
V
D
=12V,
R
L
=20
T
2
(+), Gate(+)
-
-
1.5
V
T
2
(+), Gate(-)
-
-
1.5
T
2
(-), Gate(-)
-
-
1.5
T
2
(-), Gate(+)
-
-
2.0
Gate Trigger Current
I
GT
T
2
(+), Gate(+)
-
-
5
mA
T
2
(+), Gate(-)
-
-
5
T
2
(-), Gate(-)
-
-
5
T
2
(-), Gate(+)
-
-
10
Peak On-State Voltage
V
TM
I
TM
=4.5A
-
-
1.5
V
Gate Non-Trigger Voltage
V
GD
V
D
=Rated, Tc=125
0.2
-
-
V
Holding Current
I
H
V
D
=12V, I
TM
=1A
-
-
30
mA
Critical Rate of Rise of
Off-state Voltage
d
V
/d
t
T
j
=125
, V
DRM
=Rated
Exponential Rise
T
j
=125
,
(di/dt)C=-2A/mS, V
D
=2/3V
DRM
-
100
-
V/
S
Critical Rate of Rise of
Off-state Voltage at commutation
(d
V
/d
t
)C
10
-
-
V/
S
Thermal Resistance
R
th(j-c)
Junction to Case, AC
-
-
4.2
/W
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PDF描述
T4312816A 8M x 16 SDRAM
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T4312816A-6S 8M x 16 SDRAM
T4312816A-7.5S 8M x 16 SDRAM
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參數(shù)描述
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