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參數(shù)資料
| 型號： | T1869N20TOF |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 4100 A, 2000 V, SCR |
| 文件頁數(shù)： | 12/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 531K |
| 代理商： | T1869N20TOF |
Vorlufige Daten
Preliminary Data
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1869N
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Rüther
A 109/99
2/18
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
4.Kennbuchstabe / 4
th letter O
tq
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
0,0133
0,0125
0,0218
0,0206
0,0342
0,0318
°C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
0,0030
0,0060
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
30...65
kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
900 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T2100T | 400 MHz - 450 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
| T6007T | 1420 MHz - 1530 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
| T6038C | 1660 MHz - 1740 MHz RF/MICROWAVE 3 PORT CIRCULATOR |
| T6038T | 1660 MHz - 1740 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
| T8100C | 2300 MHz - 2500 MHz RF/MICROWAVE 3 PORT CIRCULATOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T1869N21T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1869N22T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1869N22TOF | 功能描述:SCR模塊 2.2KV 40KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| T186E | 制造商:Banner Engineering 功能描述:Sensor; Photoelectric; Opposed Sensing Mode; 66 ft.; 10 to 30 VDC; 6.5 ft. 制造商:Banner Engineering 功能描述:PHOTOELECTRIC SENSOR 制造商:Banner Engineering 功能描述:PHOTOELECTRIC SENSOR; Sensing Range Max:20m; Output Current:150mA; Supply Voltage DC Min:10V; Supply Voltage DC Max:30V; Contact Current Max:150mA; Sensing Mode:Opposed; Sensing Range:0m to 20m; Sensor Input:Optical ;RoHS Compliant: Yes |
| T186E-43380 | 制造商:Banner Engineering 功能描述:T186E-43380 SIEMENS SPEC (OEM) T186EQ W/MINI-BEAM CIRCUIT |
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