Precision Edge SY10H841L SY100H841L Micrel, Inc. M9999-032906 hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
參數(shù)資料
型號： SY100H841LZC TR
廠商： Micrel Inc
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC CLK BUFFER 1:4 160MHZ 16-SOIC
標準包裝： 1,000
系列： Precision Edge®
類型： 扇出緩沖器（分配）
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 1:4
差分 - 輸入:輸出： 是/是
輸入： PECL
輸出： TTL
頻率 - 最大： 160MHz
電源電壓： 3 V ~ 3.6 V
工作溫度： 0°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： SY100H841LZCTR
SY100H841LZCTR-ND
4
Precision Edge
SY10H841L
SY100H841L
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
10H ECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VT = VE = +3.0V to +3.6V
TA = 0
°CTA = +25°CTA = +85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
175
—
175
A—
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A—
VIH
Input HIGH Voltage
2.130
2.460
2.170
2.490
2.240
2.580
V
VE = 3.3V
VIL
Input LOW Voltage
1.350
1.820
1.350
1.820
1.350
1.855
V
VE = 3.3V
VBB
Output Reference Voltage
1.920
2.030
1.950
2.050
1.990
2.110
V
VE = 3.3V
Note:
1. ECL VIH, VIL and VBB are referenced to VCCE and will vary 1:1 with the power supply. The levels shown are for IVT = IVO = VCCE = +3.3V.
VT = VE = +3.0V to +3.6V
TA = 0
°CTA = +25°CTA = +85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
175
—
175
A—
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A—
VIH
Input HIGH Voltage
2.135
2.420
2.135
2.420
2.135
2.420
V
VE = 3.3V
VIL
Input LOW Voltage
1.490
1.825
1.490
1.825
1.490
1.825
V
VE = 3.3V
VBB
Output Reference Voltage
1.920
2.040
1.920
2.040
1.920
2.040
V
VE = 3.3V
100H ECL DC ELECTRICALCHARACTERISTICS(1)
Note:
1. ECL VIH, VIL and VBB are referenced to VCCE and will vary 1:1 with the power supply. The levels shown are for IVT = IVO = VCCE = +3.3V.
VT = VE = +3.0V to +3.6V
TA = 0
°CTA = +25°CTA = +85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
tPLH
Propagation Delay
Q0–Q3
2.2
3.2
2.1
3.1
2.0
3.0
ns
CL = 20pF
tPHL
D to Output
tskpp
Part-to-Part Skew(1,4)
Q0–Q3
—
0.5
—
0.5
—
0.5
ns
CL = 20pF
tskew++
Within-Device Skew(2,4)
Q0–Q3
—
0.3
—
0.3
—
0.3
ns
CL = 20pF
tskew– –
Within-Device Skew(3,4)
Q0–Q3
—
0.3
—
0.3
—
0.3
ns
CL = 20pF
tPLH
Propagation Delay
Q0–Q3
2.2
3.2
2.1
3.1
2.0
3.0
ns
CL = 20pF
tPHL
LEN to Q
tPLH
Propagation Delay
Q0–Q3
2.2
3.2
2.1
3.1
2.0
3.0
ns
CL = 20pF
tPHL
EN to Output
tr
Output Rise/Fall Time
Q0–Q3
—
1.5
—
1.5
—
1.5
ns
CL = 20pF
tf
1.0V to 2.0V
fMAX
Max. Input Frequency(5,6)
Q0–Q3
160
—
160
—
160
—
MHz
CL = 20pF
—
Pulse Width
Q0–Q3
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
—
Recovery Time EN
Q0–Q3
1.0
—
1.0
—
1.0
—
ns
—
tS
Set-up Time D, EN
Q0–Q3
0.75
—
0.75
—
0.75
—
ns
—
tH
Hold Time D, EN
Q0–Q3
0.75
—
0.75
—
0.75
—
ns
—
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. Device-to-Device Skew considering HIGH-to-HIGH transitions at common
VCC level.
2. Within-Device Skew considering HIGH-to-HIGH transitions at common
VCC level.
3. Within-Device Skew considering LOW-to-LOW transitions at common
VCC level.
4. All skew parameters are guaranteed but not tested.
5. Frequency at which output levels will meet a 0.8V to 2.0V minimum swing.
6. The fMAX value is specified as the minimum guaranteed maximum
frequency. Actual operational maximum frequency may be greater.
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