參數(shù)資料
型號： SXTA42
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Silicon High Voltage Transistors
中文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 138K
代理商： SXTA42
Semiconductor Group
2
SXTA 42
SXTA 43
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25 C, unless otherwise specified.
V
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA
SXTA 42
SXTA 43
V
(BR)CE0
300
200
–
–
–
–
nA
nA
μ
A
μ
A
nA
Collector cutoff current
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0
V
CB
= 160 V,
I
E
= 0
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0,
T
A
= 125 C
V
CB
= 160 V,
I
E
= 0,
T
A
= 125 C
Emitter-base cutoff current
V
EB
= 6 V,
I
C
= 0
SXTA 42
SXTA 43
SXTA 42
SXTA 43
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
10
10
100
Unit
Values
typ.
Parameter
Symbol
min.
max.
DC characteristics
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 100
μ
A
V
(BR)EB0
6
–
–
V
Collector-emitter saturation voltage
1)
I
C
= 20 mA,
I
B
= 2 mA
SXTA 42
SXTA 43
V
CEsat
–
–
–
–
–
–
0.5
0.4
0.9
–
DC current gain
I
C
= 1 mA,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 10 V
I
C
= 30 mA,
V
CE
= 10 V
SXTA 42
SXTA 43
h
FE
25
40
40
40
–
–
–
–
–
–
–
–
MHz
Transition frequency
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 20 V,
f
= 100 MHz
Output capacitance
V
CB
= 20 V,
f
= 1 MHz
f
T
50
–
–
AC characteristics
pF
SXTA 42
SXTA 43
C
obo
–
–
–
–
3
4
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 100
μ
A
SXTA 42
SXTA 43
V
(BR)CB0
300
200
–
–
–
–
I
EB0
Base-emitter saturation voltage
1)
I
C
= 20 mA,
I
B
= 2 mA
V
BEsat
1)
Pulse test conditions:
t
≤
300
μ
s,
D
≤
2 %.
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PDF描述
SXTA43 NPN Silicon High Voltage Transistors
SXTA92 PNP Silicon High Voltage Transistors
SXTA93 PNP Silicon High Voltage Transistors
SY100E016JY 8-BIT SYNCHRONOUS BINARY UP COUNTER
SY100E016JYTR 8-BIT SYNCHRONOUS BINARY UP COUNTER
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參數(shù)描述
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SXTA43 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon High Voltage Transistors
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