- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372372 > SUP75N06-06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SUP75N06-06 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 75A條（丁）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 238K |
| 代理商： | SUP75N06-06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUB75N06-06 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| SUPB12 | Interface IC |
| SUPB13 | Interface IC |
| SUPB14 | Interface IC |
| SUPB15 | Interface IC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SUP75N06-07L | 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUP75N06-07L-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUP75N06-08 | 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUP75N06-08 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
| SUP75N06-08-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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