參數(shù)資料
型號: SUD50P04-13L-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 55.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫歐 @ 30A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3120pF @ 25V
功率 - 最大: 78W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設(shè)備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 標準包裝
其它名稱: SUD50P04-13L-GE3DKR