參數(shù)資料
型號(hào)： STZT2222A
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝NPN晶體管)
中文描述： 中等功率放大器（硅平面外延工藝npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： STZT2222A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 1 mA V
CE
= 10 V f = 1 KHz
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V f = 1 KHz
I
C
= 1 mA V
CE
= 10 V f = 1 KHz
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V f = 1 KHz
50
75
300
375
K
h
ie
Input Impedance
2
0.25
8
1.25
h
re
Reverse Voltage Ratio
I
C
= 1 mA V
CE
= 10 V f = 1 KHz
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V f = 1 KHz
8
4
10
-4
h
oe
Output Impedance
I
C
= 1 mA V
CE
= 10 V f = 1 KHz
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V f = 1 KHz
5
25
35
375
S
f
T
Transition Frequency
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V f = 100 MHz
for
STZT2222
for
STZT2222A
250
300
MHz
MHz
C
CBO
Collector-Base
Capacitance
Emitter-Base
Capacitance
I
E
= 0 V
CB
= 10 V f = 1 MHz
8
pF
C
EBO
I
C
= 0 V
EB
= 0.5 V f = 1 MHz
for
STZT2222
for
STZT2222A
f = 1 KHz
F = 200 Hz R
G
= 1K
I
C
= 0.1 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 150 mA I
C1
= 15 mA
V
BE
= -0.5 V
30
25
pF
pF
NF
Noise Figure
4
dB
t
d
t
r
t
s
Delay Time
10
ns
Rise Time
25
ns
Storage Time
I
C
= 150 mA I
C1
= 15 mA
I
B2
= 15 mA
225
ns
t
f
Fall Time
60
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5 %
Only for STZT2222A
STZT2222/STZT2222A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STZT2222 MEDIUM POWER AMPLIFIER
STZTA42 Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-8
SUD19P06-60L P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SVM7100M Multi-Melody IC(多種音樂(lè)發(fā)生集成電路)
SVM7560 Low Power Consumption and Low Voltage Melody IC(SOP3A-8pin Small-Sized Package)(低功耗、低電壓音樂(lè)集成電路（SOP3A-8針、小型封裝）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STZT2907 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIER
STZT2907A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STZT5400 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223
STZT5401 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIER
STZT5550 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223
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