參數(shù)資料
型號： STZT2222
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： MEDIUM POWER AMPLIFIER
中文描述： 中功率功率放大器
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： STZT2222
THERMAL DATA
R
thj-amb
R
thj-tab
Mounted on a ceramic substrate area = 30 x 35 x 0.7 mm
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
Thermal Resistance Junction-Collecor Tab Max
83.3
10
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= rated V
CBO
V
CB
= rated V
CBO
T
amb
= 125
o
C
10
10
nA
μ
A
nA
I
CEX
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -3V)
Base Cut-off Current
(V
BE
= -3V)
Emitter Cut-off Current
(I
E
= 0)
V
CE
= 60 V for
STZT2222A
10
I
BEX
V
CE
= 60 V for
STZT2222A
20
nA
I
EBO
V
EB
= 3 V
for
STZT2222
for
STZT2222A
I
C
= 10
μ
A
for
STZT2222
for
STZT2222A
30
15
nA
nA
V
(BR)CBO
Collector-Base
Breakdown Voltage
(IE = 0)
60
75
V
V
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
I
C
= 10 mA
for
STZT2222
for
STZT2222A
30
40
V
V
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 10
μ
A
for
STZT2222
for
STZT2222
5
6
V
V
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 150 mA I
B
= 15 mA
for
STZT2222
for
STZT2222A
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA
for
STZT2222
for
STZT2222A
0.4
0.3
1.6
1
V
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 150 mA I
B
= 15 mA
for
STZT2222
for
STZT2222A
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA
for
STZT2222
for
STZT2222A
0.6
1.3
1.2
2.6
2
V
V
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 0.1 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 1 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 150 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 150 mA V
CE
= 1 V
I
C
= 500 mA V
CE
= 10 V
for
STZT2222
for
STZT2222A
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V T
c
= -55
o
C
for
STZT2222
35
50
75
100
50
30
40
35
300
STZT2222/STZT2222A
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STZTA42 Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-8
SUD19P06-60L P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SVM7100M Multi-Melody IC(多種音樂發(fā)生集成電路)
SVM7560 Low Power Consumption and Low Voltage Melody IC(SOP3A-8pin Small-Sized Package)(低功耗、低電壓音樂集成電路（SOP3A-8針、小型封裝）)
SVM7561 CMOS Melody IC(Enables to Program Up to 16 songs,Two Built-In Independent Sound Sources,8-pin package)(CMOS音樂發(fā)生集成電路(可編寫16首歌曲，內(nèi)置兩個獨立聲源，8針封裝）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STZT2222A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STZT2907 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIER
STZT2907A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STZT5400 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223
STZT5401 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIER
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