參數(shù)資料
型號(hào): STX817
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述: NPN中等功率晶體管
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
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代理商: STX817
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
44.6
139
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= -120 V
-500
I
CEO
V
CE
= -80 V
-1
mA
I
EBO
V
EB
= -5 V
-100
μ
A
I
C
= -10 mA
-80
V
I
C
= -100 mA I
B
= -10 mA
I
C
= -1 A I
B
= -100 mA
I
C
= -100 mA I
B
= -10 mA
I
C
= -1 A I
B
= -100 mA
-0.25
-0.5
V
V
-1
-1.1
V
V
I
C
= -100 mA V
CE
= -2 V
I
C
= -500 mA V
CE
= -2 V
I
C
= -1 A V
CE
= -2 V
140
80
40
f
T
Transition Frequency
I
C
= -0.1 A V
CE
= -10 V
50
MHz
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
STX817
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PDF描述
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STY34NB50F Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:16A; Forward Current:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
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參數(shù)描述
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