參數(shù)資料
型號(hào)： STX13005-AP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開(kāi)關(guān)NPN電源晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 313K
代理商： STX13005-AP
STX13005 / STX13005-AP
2/8
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 700 V
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
*
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
V
BE(sat)
*
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 2 A
h
FE
*
DC Current Gain
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
(See Figure 1)
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
L = 50 mH
(See Figure 2)
* Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle = 1.5 %.
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
44.6
150
°C/W
°C/W
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
1
5
Unit
mA
mA
V
CE
= 700 V
T
j
= 100 °C
V
CE
= 400 V
1
mA
I
E
= 10 mA
9
18
V
I
C
= 10 mA
400
V
I
C
= 1 A
I
B
= 200 mA
I
B
= 500 mA
I
B
= 750 mA
I
B
= 200 mA
I
B
= 500 mA
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
V
CC
= 125 V
t
p
= 30 μs
0.5
0.6
5
V
V
V
I
C
= 1 A
1.2
1.6
V
V
10
8
30
24
t
s
t
f
I
C
= 2 A
I
B1
= -I
B2
= 400 mA
1.65
260
μs
ns
t
s
t
f
I
C
= 1 A
I
B1
= 200 mA
V
clamp
= 300 V
V
BE(off)
= -5 V
R
BB
= 0
0.8
150
μs
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STX715 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
STX817 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
STY25NA60 N-Channel 600V-0.225Ω-25A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STY30NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
STY34NB50F Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:16A; Forward Current:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STX13005-APH 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg Fast Switch NPN Pwr Transistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STX13005G 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STX13005G-AP 功能描述:MOSFET H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STX147-14.7456MHZ 制造商:WE4 功能描述:SUNTSU: 14.7456 MHz Temperature Controlled Xtal Oscillator TCXO
STX150-470 制造商:Thomas & Betts 功能描述:STAR TECK HL
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