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參數(shù)資料
| 型號： | STW8NC70Z |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| 中文描述： | N溝道高達700V - 1.1歐姆- 7A條至247齊納保護PowerMESH⑩三MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | STW8NC70Z |
STW8NC70Z
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-sink
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Drain-source
Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp.
Coefficient
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
0.78
30
0.1
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
7
A
E
AS
250
mJ
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
700
V
BV
DSS
/
T
J
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
1
V/°C
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
1
μA
50
μA
I
GSS
V
GS
= ±20V
±10
μA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 3.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
1.1
1.38
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
7
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
=3.5A
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(1)
Forward Transconductance
7
S
C
iss
C
oss
Input Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
1840
pF
Output Capacitance
140
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
18
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW8NC80Z | N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STW8NC90Z | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STW8NK80Z | N-CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STX13003 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STX13005 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STW8NC80Z | 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW8NC90Z | 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW8NK80Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW8Q14BE | 制造商:SEOUL 制造商全稱:Seoul Semiconductor 功能描述:Lead Frame type LED PKG size: 5.6*3.0 thickness 0.9mm |
| STW8Q14BE -U0U7-DA-A1/Z2/Z3 | 制造商:Seoul Semiconductor 功能描述:STW8Q14BE -U0U7-DA-A1/Z2/Z3 - Tape and Reel |
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