參數(shù)資料
型號(hào)： STW8NB80
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET
中文描述： ? -頻道800V的- 1.2ohm - 7.5A的-對(duì)MOSFET的247 PowerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
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代理商： STW8NB80
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.73
30
0.1
300
o
C/W
oC/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
7.5
A
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
680
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
800
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 100
o
C
1
50
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
30 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V I
D
= 3.7 A
1.2
1.6
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
7.5
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 3.7 A
1.5
6.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
1400
180
20
pF
pF
pF
STW8NB80
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW8NC70Z N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW8NC80Z N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW8NC90Z N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW8NK80Z N-CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STX13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW8NB90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW8NC80Z 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NC90Z 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NK80Z 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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