參數(shù)資料
型號(hào): STW60N10
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
中文描述: ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
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代理商: STW60N10
Fig. 1:
UnclampedInductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test CircuitsFor
ResistiveLoad
Fig. 2:
UnclampedInductiveWaveform
Fig. 4:
Gate Chargetest Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
STW60NE10
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW80N06-10 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
STW80NE06-10 N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW80NF55-06 N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STW80NF55-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET
STW8N80 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW60N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW60NE10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW60NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW62N65M5 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V TO-247
STW62NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube