參數(shù)資料
型號： STW33N20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： ? -通道增強型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： STW33N20
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
0.66
30
0.1
300
o
C/W
oC/W
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
33
A
E
AS
600
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
200
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
o
C
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 100
10
100
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
Threshold
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
0.073
0.085
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
33
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 16 A
10
22
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
3500
550
120
4500
700
160
pF
pF
pF
STW33N20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW45NM50FD N-CHANNEL 500V - 0.07ohm - 45A TO-247 FDmesh⑩Power MOSFET With FAST DIODE
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STW5094 18 BIT 8kHz TO 48kHz LOW POWER STEREO AUDIO DAC WITH INTEGRATED POWER AMPLIFIERS AND VOICE CODEC
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參數(shù)描述
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STW34NB20 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
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