參數(shù)資料
型號: STW11NK100Z
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述: N溝道1000V - 1.1W - 8.3A至247齊納保護SuperMESH⑩功率MOSFET
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代理商: STW11NK100Z
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STW11NK100Z
Normalized BVDSS vs Temperature
Normalized On Resistance vs Temperature
Capacitance Variations
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temp.
Source-drain Diode Forward Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW12NK80Z CONNECTOR ACCESSORY
STW12NK90Z N-CHANNEL 900V - 0.72 ohm - 11A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STW13NK100Z N-CHANNEL 1000V - 0.56 OHM - 13A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STW18NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.27з - 16A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STW33N20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW11NK90Z 功能描述:MOSFET N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW11NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW11NM80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW120NF10 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW12N120K5 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET IN TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 AND TO-247 PACKAGES - Tape and Reel