參數(shù)資料
型號： STU6NA100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 1000V - 1.45ohm - 6A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -頻道1000V - 1.45ohm - 6A條- Max220快速功率MOS器件
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： STU6NA100
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.8
62
0.1
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
6
A
E
AS
800
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
1000
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 100
o
C
V
GS
=
±
30 V
50
500
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.25
3
3.75
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V I
D
= 3 A
1.45
1.7
I
D(on)
V
GS
= 10 V
6
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 3 A
6
7
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
3170
270
76
4100
351
99
pF
pF
pF
STU6NA100
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU6NA90 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU7NA80 N - CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A - Max220 FAST POWER MOSFET
STU7NA90 N - CHANNEL 900V - 1.05 ohm - 7A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU7NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU7NB90 N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max220I PowerMesh⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STU6NA60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
STU6NA90 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU6NF10 功能描述:MOSFET N-Ch, 100V-0.22ohms 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU70N2LH5 功能描述:MOSFET N-Ch, 25V-0.006ohms 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU75N3LLH6 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*