參數(shù)資料
型號(hào)： STU13NC50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 500V - 0.31ohm - 13A Max220 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道500V - 0.31ohm - 13A條Max220 PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 258K
代理商： STU13NC50
STU13NC50
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THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.78
62.5
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
13
Unit
A
800
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
500
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= 10V, I
D
= 7 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
0.31
0.4
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 7A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
13
Max.
Unit
S
g
fs
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
1970
pF
Output Capacitance
300
pF
Reverse Transfer
Capacitance
48
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU16NB50I TRANSISTOR MOSFET MAX-220
STU16NB50 N-CHANNEL 500V - 0.28ohm - 15.6A-Max220 PowerMESH MOSFET
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STV0680A-002 Low Cost Digital Camera (LCDC) Chipset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STU13NM60N 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 11A IPAK
STU14NA50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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STU1530PL 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:P-Channel E nhancement Mode MOSFET
STU16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
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