參數(shù)資料
型號(hào)： STTH60L06CW
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER
中文描述： 透平2超快高壓整流
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： STTH60L06CW
STTH60L06C
4/6
Figure 7: Reverse recovery softness factor
versus dI
F
/dt (typical values, per diode)
Figure 8: Relative variations of dynamic
parameters versus junction temperature
Figure 9: Transient peak forward voltage
versus dI
F
/dt (typical values, per diode)
Figure 10: Forward recovery time versus dI
F
/dt
(typical values, per diode)
Figure 11: Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical values, per
diode)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
dI /dt(A/μs)
I < 2 x I
F
V =400V
R
T=125°C
j
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
I
RM
t
rr
S factor
T (°C)
I =I
F
V =400V
R
Reference:T=125°C
F(AV)
Q
RR
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/μs)
I =I
T=125°C
j
F
F(AV)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
100
200
300
400
500
t (ns)
dI /dt(A/μs)
I =I
=1.1 x V max.
T=125°C
j
V
FR
10
100
1000
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH60L06TV TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER
STTH60L06TV1 TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER
STU10NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
STU11NC60 N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 11A Max220 PowerMeshII MOSFET
STU11NB60 N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 11A - Max220 PowerMESH MOSFET
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參數(shù)描述
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STTH60L06TV2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE ULTRA-FAST 2X40A 600V
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