參數(shù)資料
型號(hào)： STTH16L06GG-TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER
中文描述： 透平2超快高壓整流
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： STTH16L06GG-TR
STTH16L06C
4/8
Figure 7:
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values, per diode)
Figure 8: Reverse recovery softness factor
versus dI
F
/dt (typical values, per diode)
Figure 9: Relative variations of dynamic
parameters versus junction temperature
Figure 10: Transient peak forward voltage
versus dI
F
/dt (typical values, per diode)
Figure 11: Forward recovery time versus dI
F
/dt
(typical values, per diode)
Figure 12: Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical values, per
diode)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
0
100
200
300
400
500
Q (nC)
I =2 x I
F(AV)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F(AV)
V =400V
T=125°C
j
R
dI /dt(A/μs)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
dI /dt(A/μs)
I < 2 x I
F
V =400V
R
T=125°C
j
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
I
RM
Q
RR
t
rr
S factor
T (°C)
I =I
F
V =400V
R
Reference:T=125°C
F(AV)
j
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/μs)
I =I
T=125°C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
100
200
300
400
500
t (ns)
dI /dt(A/μs)
I =I
F
=1.1 x V max.
T=125°C
j
F(AV)
V
FR
F
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
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