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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STTH1002C |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| 中文描述： | 高效超快二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | STTH1002C |
STTH1002C
3/8
I (A)
0
10
20
30
40
50
60
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
δ
=tp/T
tp
I
M
P = 10W
P = 5W
P = 2W
δ
Fig.1:
Peakcurrentversusdutycycle(perdiode).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
V
(V)
FM
I
(A)
FM
T=25°C
T=150°C
j
Fig. 2-1:
Forward voltage drop versus forward
current (typical values, per diode).
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
t (s)
Fig. 3-1:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AB,
I
2
PAK, D
2
PAK, DPAK).
10
100
0
50
100
150
200
C(pF)
V (V)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
Fig. 4:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
I
(A)
FM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
T=150°C
j
T=25°C
j
V
(V)
FM
Fig. 2-2:
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values, per diode).
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
t (s)
Fig. 3-2:
Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
(TO-220FPAB).
pulse
duration
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1002CT | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CG-TR | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CB | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CB-TR | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CFP | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
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參數(shù)描述 |
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