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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STTA106U |
| 廠(chǎng)商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| 中文描述： | TURBOSWITCH一超快速高壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | STTA106U |
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
IF(av) (A)
P1(W)
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
Fig. 1
: Conduction losses versus average current.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Tj=25°C
Fig. 2:
Forward voltage drop versus forward cur-
rent (maximum values).
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
dIF/dt(A/μs)
IRM(A)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
Fig. 3:
Peak reverse recovery current versus dI
F
/dt
(90% confidence).
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
trr(ns)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
dIF/dt(A/μs)
Fig. 4:
Reverse recovery time versus dI
F
/dt (90%
confidence).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
S factor
IF=2*IF(av)
VR=400V
Tj=125°C
dIF/dt(A/μs)
Fig. 5:
Softness factor (tb/ta) versus dI
F
/dt (typical
values).
25
50
75
100
125
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
Tj(°C)
IRM
S factor
Fig. 6:
Relative variation of dynamic parameters
versus junction temperature (reference Tj = 125°C).
STTA106/U
3/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTA12006TV1 | TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA12006TV2 | TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA6006P | TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA1206D | TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA1206DI | TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STTA106U | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE ULTRA FAST 1A |
| STTA10A0.2500 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Peripheral IC |
| STTA10A14.9000 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Peripheral IC |
| STTA10AR0.2500 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Peripheral IC |
| STTA10AR14.9000 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Peripheral IC |
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