參數(shù)資料
型號(hào)： STSJ2NM60
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 圓形連接器
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:10; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket; Gender:Female
中文描述： N溝道600V的- 2.8ohm -甲PowerSO - 8齊納⑩保護(hù)的MDmesh功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 223K
代理商： STSJ2NM60
STSJ2NM60
2/8
THERMAL DATA
Rthj-c
Rthj-amb
T
j
T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(4)
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max (1)
1.78
42
°C/W
°C/W
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
Storage Temperature
– 65 to 150
°C
Test Conditions
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 20V
±5
μA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 1 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
Static Drain-source On
Resistance
2.8
3.2
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 2 A
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
1.4
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
160
pF
Output Capacitance
67
pF
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Input Resistance
4
pF
R
G
f=1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20mV
Open Drain
3.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STSR30 SYNCHRONOUS RECTIFIER SMART DRIVER FOR FLYBACK
STSR30D SYNCHRONOUS RECTIFIER SMART DRIVER FOR FLYBACK
STSR30D-TR SYNCHRONOUS RECTIFIER SMART DRIVER FOR FLYBACK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STSJ60NH3LL 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.004 Ohm 15A Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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