參數(shù)資料
型號： STS9NF30L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.015歐姆-第9A型SO - 8低柵極電荷STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 45K
代理商： STS9NF30L
THERMAL DATA
R
thj-amb
T
j
T
stg
(*) Mounted on FR-4board (t
≤
10
sec)
(*)Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Operating Junction Temperature
Storage Temperature
50
150
-65 to 150
o
C/W
o
C
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
30
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 4 A
I
D
= 4 A
1
V
A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
0.015
0.018
0.020
0.024
I
D(on)
On State Drain Current
9
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 5.5 A
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
750
270
60
pF
pF
pF
STS9NF30L
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS9NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STT4NF30L N - CHANNEL 30V - 0.055ohm - 4A - TSOP-6 STripFET MOSFET
STT4PF20V P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET
STT818B HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
STTA106 TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS9NF30L_02 制造商:ANALOGICTECH 制造商全稱:Advanced Analogic Technologies 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.015 W - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFETa?￠ II POWER MOSFET
STS9NF3LL 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS9NH3LL 功能描述:MOSFET NCh 30V 0.018 Ohm 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS9NH3LL_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET? III Power MOSFET
STS9P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:1
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