參數(shù)資料
型號： STS5NS150
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道150伏- 0.075歐姆- 5A條的SO - 8低柵極電荷STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 277K
代理商： STS5NS150
3/8
STS5NS150
Safe Operating Area
Thermal Impedance
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 1)
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
12
2.8
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 120V I
D
= 5A V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 2)
65
5.5
2.7
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 1)
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
50
12
ns
ns
t
r(Voff)
t
f
t
c
Turn-off Delay Time
Fall Time
Cross-over Time
V
clamp
= 120 V
R
G
= 4.7
,
(Inductive Load, Figure 5)
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
11
17
36
ns
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
5
20
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 5 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 3)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
150
712
9.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS9NF30L N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STS9NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STT4NF30L N - CHANNEL 30V - 0.055ohm - 4A - TSOP-6 STripFET MOSFET
STT4PF20V P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET
STT818B HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS5P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STS5PF20V 功能描述:MOSFET P-Ch 20 Volt 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS5PF30L 功能描述:MOSFET P-Ch 30 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS5PF30L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-channel 30V - 0.045OHM - 5A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
STS63/23/24 制造商:Block 功能描述:Transformer 230/24V 63VA
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