參數(shù)資料
型號(hào)： STS4DNF60
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? -通道60V的- 0.045ohm - 4A條的SO - 8 STripFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
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代理商： STS4DNF60
THERMAL DATA
R
thj-amb
T
j
T
stg
*Thermal Resistance Junction-ambient Single Operation
Dual Operation
Maximum Operating Junction Temperature
Storage Temperature
78
62.5
150
-55 to 150
o
C/W
o
C/W
o
C
o
C
(*)
Mounted on FR-4 board (t
≤ 10
sec)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
Static Drain-source On
Resistance
1
1.7
2.5
V
V
GS
= 10 V I
D
= 2 A
V
GS
= 4.5 V I
D
= 2 A
0.045
0.05
0.055
0.065
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
20
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 2 A
7
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0 V
1250
130
26
pF
pF
pF
STS4DNF60L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS4DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS8C5H30L LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET
STS8NFS30L N - CHANNEL 30V - 0.018ohm - 8A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STSJ2NM60 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:10; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket; Gender:Female
STSJ20NM20N N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 20A POWERSO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS4DNF60L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.044 Ohm 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30L 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS4DNFS30L 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
STS4DNFS30L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET TM MOSFET plus SCHOTTKY rectifier
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