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參數(shù)資料
| 型號： | STS1NC60 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SO-8 PowerMESH⑩II MOSFET |
| 中文描述： | N溝道600V的- 12ohm - 0.3A -的SO - 8 MOSFET的第二PowerMESH⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | STS1NC60 |
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STS1NC60
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized Gate Thereshold Voltage vs Temp.
Source-drain Diode Forward Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STS2NF100 | N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STS3DNE60L | N-Channel 60V-0.065Ω-3A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STS3DPF20V | DUAL P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STS3DPF30L | DUAL P - CHANNEL 30V - 0.145ohm - 3A SO-8 STripFETO POWER MOSFET |
| STS3DPFS30L | P - CHANNEL 30V - 0.13ohm - 3A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STS1NK60Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS1NS20 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS1TXQTR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:LOW DATA RATE, LOW POWER SUB-1GHZ TRANSMITTER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC TRANSMITTER RF 1GHZ 20VFQFPN |
| STS2 | 功能描述:手工工具 ECON CABLE TIE TOOL RoHS:否 制造商:Molex 產(chǎn)品:Extraction Tools 類型: 描述/功能:Extraction tool |
| STS2,5BU | 制造商:Phoenix Contact 功能描述:TB,Spring-cage,Width:5.2mm,blue |
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