參數(shù)資料
型號(hào)： STS1HNK60
英文描述： N-CHANNEL 600V - 8 OHM - 0.3A SO-8 SUPERMESH POWER MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 8歐姆- 0.3A的SO - 8 SUPERMESH功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 301K
代理商： STS1HNK60
3/8
STS1HNK60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 0.5 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
1
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
156
23.5
3.8
pF
pF
pF
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300 V, I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(Resistive Load see, Figure 3)
V
DD
= 480 V, I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V, R
G
= 4.7
Min.
Typ.
6.5
5
Max.
Unit
ns
ns
Turn-on Delay Time
Rise Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
7
1.1
3.4
10
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300 V, I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(Resistive Load see, Figure 3)
V
DD
= 480V, I
D
= 1.0 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(Inductive Load see, Figure 5)
Min.
Typ.
19
25
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off Delay Time
Fall Time
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
24
25
44
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
0.3
1.2
Unit
A
A
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
Forward On Voltage
I
SD
= 0.3 A, V
GS
= 0
I
SD
= 0.3 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 25 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
229
377
3.3
ns
μC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS1NK60Z N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.25A SO-8 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
STS4NM20N N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 4A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET
STS8DNF30L TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
STTA12006 TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
STTA1206 TURBOSWITCH - ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS1NC60 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1NS20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1TXQTR 制造商:STMicroelectronics 功能描述:LOW DATA RATE, LOW POWER SUB-1GHZ TRANSMITTER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC TRANSMITTER RF 1GHZ 20VFQFPN
STS2 功能描述:手工工具 ECON CABLE TIE TOOL RoHS:否 制造商:Molex 產(chǎn)品:Extraction Tools 類型: 描述/功能:Extraction tool
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*