參數(shù)資料
型號： STS12NF30L
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL 30V - 0.0085W - 12A SO-8 STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? -通道30V的- 0.0085W -第12A型SO - 8 STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： STS12NF30L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
DD
= 24 V I
D
= 12 A V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V
35
90
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
35
9
18
50
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
clamp
= 24 V
R
G
= 4.7
(Inductive Load, see fig. 5)
I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V
90
45
ns
ns
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
I
D
= 12 A
V
GS
= 4.5 V
35
35
80
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
12
48
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 12 A
I
SD
= 12 A
V
DD
= 15 V
(see test circuit, fig. 5)
V
GS
= 0
1.2
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
45
70
3
ns
nC
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
SafeOperating Area
Thermal Impedance
STS12NF30L
3/8
相關PDF資料
PDF描述
STS12NH3LL N-CHANNEL 30 V - 0.008 з - 12 A SO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET⑩ MOSFET
STS1DNC45 TOOLS,HEX BITS,SETS,GORILLA-GRIP FOLD-UP TOOL SET,8-PC.TAMPER-RESISTANT, TR9-TR40,HAND TOOLS,GORILLA GRIP<SUP>&#174;</SUP> FOLD-UP TOOL SETS ,BONDHUS
STS1HNC60 N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A SO-8 PowerMesh⑩II MOSFET
STS1NC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SO-8 PowerMESH⑩II MOSFET
STS2NF100 N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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