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參數(shù)資料
| 型號： | STR710FZ2H6 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | ARM7TDMI⑩ 16/32-BIT MCU WITH FLASH, USB, CAN 5 TIMERS, ADC, 10 COMMUNICATIONS INTERFACES |
| 中文描述： | 16/32位微控制器ARM7TDMI的⑩5定時器，ADC和10 COMMUNICAT離子接口與閃存，USB，可以 |
| 文件頁數(shù)： | 37/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 659K |
| 代理商： | STR710FZ2H6 |
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STR71xF - ELECTRICAL CHARACTERISTICS
37/49
2.9 Flash Electrical characteristics
V
33
= 3.3
±
10%, T
A
= -40 / 85
°C unless otherwise specified.
Table 19. Flash Program/Erase Characteristics 1
Note
C
0
:
T
A
= 85 °C
after 0 cycles
C
max
:
T
A
= 85 °C
after max number of cycles
Table 20. Flash Program/Erase Characteristics 2
Symbol
Parameter
Test Conditions
Value
Max(C
0
) Max(C
max
)
Unit
Typ
40
60
1.6
130
2.3
1.9
0.7
0.6
8.0
6.6
0.9
0.8
t
PW
t
PDW
t
PB0
t
PB1
Word Program
Double Word Program
Bank 0 Program (256K)
Bank 1 Program (16K)
μ
s
μ
s
s
ms
Double Word Program
Double Word Program
Not preprogrammed
Preprogrammed
2.1
170
4.0
3.3
1.1
1.0
13.7
11.2
1.5
1.3
4.3
300
4.9
4.1
1.36
1.26
17.2
14.0
1.87
1.66
20
10
300
t
ES
Sector Erase (64K)
s
t
ES
Sector Erase (8K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
s
t
ES
Bank 0 Erase (256K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
s
t
ES
Bank 1 Erase (16K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
s
t
RPD
t
PSL
t
ESL
Recovery from Power-Down
Program Suspend Latency
Erase Suspend Latency
μ
s
μ
s
μ
s
Symbol
Parameter
Conditions
Value
Typ
Unit
Min
10
100
20
Max
Endurance
Endurance (Bank1 sectors)
Data Retention
kcycles
kcycles
Years
t
ESR
Erase Suspend Rate
Min time from Erase
Resume to next Erase
Suspend
20
ms
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PDF描述 |
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