參數(shù)資料
型號： STPS640CT
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： STPS640CT
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 4.1:
Relative variation of thermal transient
impedancejunction to case versuspulse duration
(TO-220AB/ DPAK).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
t(s)
IM(A)
Tc=75
°
C
Tc=130
°
C
Tc=100
°
C
I
M
t
δ
=0.5
Fig.3-2:
Nonrepetitivesurgepeakforwardcurrent
versusoverloadduration.
(Maximum values,per diode)(ISOWATT220AB).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Fig. 4-2:
Relative variation of thermal transient
impedancejunctionto caseversuspulseduration
(ISOWATT220AB).
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
VR(V)
IR(A)
Tj=150
°
C
Tj=75
°
C
Tj=100
°
C
Tj=125
°
C
Fig. 5:
Reverse leakage current versus reverse
voltageapplied(typical values,perdiode).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
t(s)
IM(A)
Tc=75
°
C
Tc=135
°
C
Tc=100
°
C
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 3-1:
Nonrepetitivesurgepeakforwardcurrent
versusoverloadduration.
(Maximumvalues,per diode)(TO-220AB/ DPAK).
1
2
5
10
20
50
10
100
500
VR(V)
C(pF)
F=1MHz
Tj=25
°
C
Fig. 6:
Junction capacitance versus reverse
voltageapplied(typical values,per diode).
STPS640CT/CF/CB
3/6
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