參數(shù)資料
型號： STPS40150CG-TR
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 高壓功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： STPS40150CG-TR
STPS40150CT/CW/CG
2/6
Symbol
I
R
*
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
2
2
Max.
8
11
0.92
0.75
1.00
0.86
Unit
μA
mA
V
Reverse leakage
current
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
V
R
= V
RRM
V
F
*
Forward voltage drop
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
I
F
= 40 A
I
F
= 40 A
0.69
0.79
Pulse test : * tp = 380
μ
s,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P = 0.64 x IF(AV)+ 0.0055 IF2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
Symbol
R
th(j-c)
Parameter
TO-220AB / D
2
PAK
Value
1.2
0.85
1.2
0.85
0.5
Unit
°C/W
Junction to case
Per diode
Total
Per diode
Total
Coupling
R
th(j-c)
Junction to case
TO-247
°C/W
R
th(c)
°C/W
THERMAL RESISTANCES
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)
(Per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
P
(W)
F(AV)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
I
(A)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
Fig. 1:
Conduction losses versus average current
(per diode).
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 2:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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