參數(shù)資料
型號(hào)： STPS3545CW
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 17.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： STPS3545CW
STPS3545CP/CW
2/5
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
Per diode
total
1.5
0.8
°C/W
Rth (c)
Coupling
0.1
THERMAL RESISTANCES
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
TJ(diode 1) = P(diode1) x Rth(j-c) (Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage cur-
rent
Tj = 25°C
VR =VRRM
200
A
Tj = 125°C
11
40
mA
VF *
Forward voltage drop
Tj = 125
°CIF = 17.5 A
0.53
0.60
V
Tj = 25°C
IF =35 A
0.88
Tj = 125°C
IF =35 A
0.69
0.76
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
Pulse test : * tp = 380 s,
δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P=0.44xIF(AV) + 0.0091 IF
2
(RMS)
0
2
4
6
8
1012 141618 2022 2426
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
IF(av) (A)
PF(av)(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
Fig. 1: Average forward power dissipation
versus average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average
current
versus
ambient
temperature (per diode).
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PDF描述
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STPS3L60U 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
STPS3L60 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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