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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STPS20L60CT |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | CAP 0.1UF 50V 10% X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014 |
| 中文描述： | 功率肖特基整流器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | STPS20L60CT |
STPS20L60CT/CG/CR
3/6
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
IM(A)
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=100°C
Fig. 5:
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values, per
diode).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Zth(j-c)/Rth(j-c)
tp(s)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 6:
Relative variation of thermal transient
impedancejunctiontocaseversuspulseduration.
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
IR(mA)
VR(V)
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=100°C
Tc=125°C
Tc=150°C
Tc=50°C
Fig. 7:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
1
10
100
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
C(nF)
VR(V)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 8:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
p
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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