參數(shù)資料
型號(hào)： STPS20L120CT
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FN, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： STPS20L120CT
Characteristics
STPS20L120C
2/8
Doc ID 15670 Rev 1
1
Characteristics
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode 1) x Rth(j-c)(per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.595 x IF(AV) + 0.0095 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values, per diode)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
120
V
IF(RMS) Forward rms current
20
A
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
Total package
20
A
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
200
A
PARM
Repetitive peak avalanche power
tp = 1 s Tj = 25 °C
8000
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature(1)
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
150
°C
Table 3.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AB
Per diode
Total
2
1.1
°C/W
TO-220FPAB
Per diode
Total
4.9
4.1
Rth(c)
Coupling
TO-220AB
Total
0.2
TO-220FPAB
3.2
Table 4.
Static electrical characteristics (per diode)
Symbol
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test : tp = 5 ms,
δ < 2%
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
-
120
A
Tj = 125 °C
-
8
25
mA
VF
(2)
2.
Pulse test : tp = 380 s,
δ < 2%
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 5 A
-
0.74
V
Tj = 125 °C
-
0.55
0.605
Tj = 25 °C
IF = 10 A
-
0.86
Tj = 125 °C
-
0.63
0.69
Tj = 25 °C
IF = 20 A
--
1
Tj = 125 °C
-
0.72
0.785
dPtot
dTj
---------------
1
Rth j
a
–
()
--------------------------
<
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PDF描述
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