參數(shù)資料
型號： STPS20170CT
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 高壓功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： STPS20170CT
STPS20170CT
3/5
P
(W)
F(AV)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
I
(A)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
I
(A)
F(AV)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
amb
T
δ
=tp/T
tp
R
=15°C/W
th(j-a)
R
=R
th(j-a)
th(j-c)
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
= 0.5, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating ver-
sus pulse duration.
0
1.E-03
25
50
75
100
125
150
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
I (A)
I
M
t
δ
=0.5
T =50°C
T =75°C
T =125°C
Fig. 5:
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values, per
diode).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t (s)
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
Fig. 6:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
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PDF描述
STPS20H100CG High Voltage Power Schottky Rectifier(高壓功率肖特基整流器)
STPS20L60C POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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STPS20L60CG-TR POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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