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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STPS1150RL |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 功率肖特基整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | STPS1150RL |
STPS1150
3/6
Figure 5: Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration (maximum
values) (SMA)
Figure 6:
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration (maximum
values) (DO-41)
Figure 7: Relative variation of thermal
impedance junction to ambient versus pulse
duration
(epoxy
printed
e(Cu)=35μm, recommended pad layout) (SMA)
circuit
board,
Figure 8: Relative variation of thermal
impedance junction to ambient versus pulse
duration (DO-41)
Figure 9: Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical values)
Figure 10: Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical values)
I (A)
0
1.E-03
1
2
3
4
5
6
7
8
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T =25°C
a
T =75°C
T =125°C
a
I
M
t
δ
=0.5
t(s)
SMA
0
1.E-03
1
2
3
4
5
6
7
8
1.E-02
1.E-01
1.E+00
I (A)
T =25°C
a
T =75°C
a
T =125°C
a
I
M
t
δ
=0.5
t(s)
DO-41
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
SMA
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
DO-41
I (μA)
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
0
25
50
75
100
125
150
T=125°C
T=150°C
j
T=100°C
j
T=50°C
T=25°C
T=75°C
V (V)
C(nF)
1
10
100
1
10
100
1000
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
V (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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