參數(shù)資料
型號： STPS10H100CFP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 高壓功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： STPS10H100CFP
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
2/7
Symbol
R
th (j-c)
Parameter
D2PAK / I2PAK
TO-220AB
Value
2.2
1.3
0.3
4.5
3.5
2.5
Unit
°C/W
Junction to case
Per diode
Total
Coupling
Per diode
Total
Coupling
R
th (c)
R
th (j-c)
Junction to case
TO-220FPAB
°C/W
R
th (c)
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)
(Per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
THERMAL RESISTANCES
Symbol
I
R
*
Parameter
Tests conditions
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Min.
Typ.
Max.
3.5
4.5
0.73
0.61
0.85
0.71
Unit
μA
mA
V
Reverse leakage current
V
R
= V
RRM
1.3
V
F
**
Forward voltage drop
I
F
= 5 A
0.57
I
F
= 10 A
0.66
Pulse test :
* tp = 5 ms,
δ
< 2%
** tp = 380 μs,
δ
< 2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.51 x I
F(AV)
+ 0.02 x I
F2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
PF(av)(W)
IF(av) (A)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
δ
= 0.05
δ
= 0.1
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
6
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=15°C/W
D2PAK/I2PAK/TO-220AB
TO-220FPAB
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
=0.5, per diode).
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PDF描述
STPS10H100CR HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS10H100CG-TR HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS1150 POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS1150A POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS1150RL POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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參數(shù)描述
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