參數(shù)資料
型號： STP80NF55-07
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 55V-0.0055Ω-80A- TO-220 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道55V的-0.0055Ω- 80A條至220 STripFET功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/5頁
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代理商： STP80NF55-07
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
0.937
62.5
0.5
300
o
C/W
oC/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 30 V)
80
A
E
AS
350
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
55
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
o
C
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V
I
D
= 40 A
5.5
7
m
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
80
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=40 A
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
8500
1000
200
pF
pF
pF
STP80NF55-07
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PDF描述
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