參數(shù)資料
型號(hào)： STP80NE03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類(lèi)： 其它接口
英文描述： TERMINAL
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 87K
代理商： STP80NE03L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
=4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 24 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 5 V
40
260
55
350
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 80 A
V
GS
= 5 V
95
30
44
130
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 24 V
R
G
=4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 80 A
V
GS
= 5 V
70
165
250
95
220
340
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
80
320
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 80 A
I
SD
= 80 A
V
DD
= 15 V
(see test circuit, figure 5)
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
75
0.14
4
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
SafeOperating Area for
Thermal Impedance
STP80NE03L-06
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP80NE06-10 CAPACITOR, CASE C, 68UF, 6.3V; Application:Solid; Capacitance:68uF; Tolerance, capacitance:20%; Series:NOS; Voltage, rating:6.3V; Capacitor dielectric type:Niobium Oxide; Case style:C; Depth, external:2.6mm; Length / Height, RoHS Compliant: Yes
STP80NF55-07 N-Channel 55V-0.0055Ω-80A- TO-220 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STPAC02F1 RF DETECTOR FOR POWER AMPLIFIER CONTROL WITH INTERNAL TEMPERATURE COMPENSATION IPADTM
STPR2420 ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
STPR310D ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP80NE03L06 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB
STP80NE03L-06 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80NE03L-06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
STP80NE06-10 功能描述:MOSFET RO 511-STP80NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80NF03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.0034 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET
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