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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP80NE03L-06 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式“的單一的功能SIZETM”功率MOSFET（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | STP80NE03L-06 |
Fig. 1: Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 2: Unclamped Inductive Waveform
Fig. 4: Gate Charge test Circuit
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
STP80NE03L-06
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPF1020CTN | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPR810DB | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STPRA1040CT | 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS40L45CWPBF | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| STR-W6753 | 11.2 A SWITCHING REGULATOR, 25 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM6 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP80NE03L-06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| STP80NE06-10 | 功能描述:MOSFET RO 511-STP80NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP80NF03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.0034 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET |
| STP80NF03L | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP80NF03L-04 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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