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參數(shù)資料
| 型號： | STP60NE03L-12 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 60A - T0-220 STripFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | ? -通道30V的- 0.009歐姆-第60A條- T0代- 220 STripFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | STP60NE03L-12 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
=4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 24 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 5 V
35
240
50
320
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 60 A
V
GS
= 5 V
62
20
31
85
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 24 V
R
G
=4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 60 A
V
GS
= 5 V
60
80
150
80
110
200
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
60
240
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 60 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 60 A
V
DD
= 24 V
(see test circuit, figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
70
0.13
4
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STP60NE03L-10
3/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP60NE10 | N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET |
| STP60N05 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP60N05-16 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| STP60N05FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR |
| STP60N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP60NE06-16 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP60NE06-16FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR MOSFET |
| STP60NE06-16FP | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| STP60NE06L-16 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP60NE06L-16FI | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N LOGIC ISOWATT-220 |
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