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參數(shù)資料
| 型號： | STP60N06 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直|第60A條（丁）|至220 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | STP60N06 |
Gate Chargevs Gate-sourceVoltage
NormalizedGate ThresholdVoltage vs
Temperature
Source-drainDiode Forward Characteristics
CapacitanceVariations
NormalizedOn Resistancevs Temperature
STP60NE10/FP
5/9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP60N06-16 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| STP60N06FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR |
| STP60NE10FP | N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET |
| STP60NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STP60NF06FP | N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP60N06-14 | 功能描述:MOSFET RO 511-STP60NE06-16 TO-220 N-CH 60V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP60N06-16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| STP60N06FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR |
| STP60N3LH5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30V 0.0072 Ohm 48A IPAK STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP60N55F3 | 功能描述:MOSFET N Ch 55V 6.5mohm 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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