參數(shù)資料
型號： STP60N06-14
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 3/5頁
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代理商： STP60N06-14
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 25 V I
D
= 30 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 40 V I
D
= 60 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
V
DD
= 40 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
30
180
50
250
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
210
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
130
26
55
170
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 40 V I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
35
135
180
50
190
250
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
60
240
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 60 A V
GS
= 0
I
SD
= 60 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 30 V T
j
= 150
o
C
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
150
0.56
9
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STP60N05-14/STP60N06-14
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP60NE03L-10 PC 26C 26#20 PIN RECP
STP60NE03L-12 N - CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 60A - T0-220 STripFET POWER MOSFET
STP60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET
STP60N05 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
STP60N05-16 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP60N06-16 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220
STP60N06FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR
STP60N3LH5 功能描述:MOSFET N-Ch 30V 0.0072 Ohm 48A IPAK STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP60N55F3 功能描述:MOSFET N Ch 55V 6.5mohm 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP60NE03L-10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
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