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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP60N05 |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | STP60N05 |
THERMAL DATA
TO-220
TO-220FP
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
0.94
2.7
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35V)
60
A
E
AS
100
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
100
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 30 A
2
3
4
V
V
GS
= 10V
0.016
0.022
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
60
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=18 A
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
5300
640
215
pF
pF
pF
STP60NE10/FP
2/9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP60N05-16 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| STP60N05FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR |
| STP60N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| STP60N06-16 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| STP60N06FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP60N05-14 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP60N05-16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| STP60N05FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR |
| STP60N06 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220 |
| STP60N06-14 | 功能描述:MOSFET RO 511-STP60NE06-16 TO-220 N-CH 60V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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